Лабораторная работа - изучение транзисторов

Цель и содержание работы: Ознакомиться с семейством статических характеристик типовых полупроводниковых транзисторов. Снять семейство характеристик: входных и выходных, передачи тока и обратной связи по напряжению при включении транзистора с общей базой и общим эмиттером. По полученным характеристикам для номинального режима вычислить h-парамётры. Определить параметры эквивалентной Т-образной схемы транзистора.

Задание

1.  Записать паспортные данные исследуемого транзистора и зарисовать схему расположения выводов.

2.  Собрать схему для исследования транзистора при включении с общей базой; установить напряжения коллектора и эмиттера равными нулю и вставить исследуемый транзистор в панель.

3.  Снять семейство входных характеристик U3 = F(I3) для нескольких UK и данные внести в таблицу 1.

Таблица 1.

UК= . . . В

UК= . . . В

IЭ, мА

UЭ, В

4. Снять семейство выходных характеристик IК= F(UК) для нескольких IЭ и данные внести в таблицу 2.

Таблица 2.

IЭ = . . . MA

IЭ = . . . MA

UК, В

IК, MA

5. Снять семейство характеристик передачи тока IК= F(IЭ) для нескольких UК и данные внести в таблицу 3.

Таблица 3.

UК= . . . В

UК= . . . В

IЭ, мА

IК, MA

6. Снять семейство характеристик обратной связи по напряжению передачи тока UЭ= F(UК) для нескольких IЭ и данные внести в таблицу 4.

Таблица 4.

IЭ = . . . MA

IЭ = . . . MA

UК, В

U0, В

7. Собрать схему для исследования транзистора при включении с общим эмиттером.

8. Снять семейство входных характеристик UБ = F(IБ) для нескольких UK и данные внести в таблицу 5.

Таблица 5.

UК= . . . В

UК= . . . В

IБ, мА

UБ, В

9. Снять семейство выходных характеристик IK=F(UK) Для нескольких IБ и данные внести в таблицу 6.

Таблица 6

IБ = . . . MA

IБ = . . . MA

UК, В

IК, мА

10. Снять семейство характеристик передачи тока IК = F(IБ) Для нескольких UК и данные внести в таблицу 7.

Таблица 7.

UК= . . . В

UК= . . . В

IБ, мА

IК, мА

11. Снять семейство характеристик обратной связи по напряжению UБ = F(UK) Для нескольких IБ и данные внести в таблицу 8.

Таблица 8.

IБ = . . . MA

IБ = . . . MA

UК, В

UБ, В

Методические указания

1. При работе с транзисторами категорически запрещается превышать максимальные значения токов, напряжений и мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора.

2.  Вычислить по характеристикам транзисторов при включении с общей базой параметры H11 б, H12 б, H21 б и H22 б для номинального режима.

3.  Сравнить вычисленные параметры с паспортными данными.

4.  По вычисленным в п. 2 HБ параметрам подсчитать параметры Т-образной эквивалентной схемы по формулам:

5.  Вычислить по характеристикам транзистора при включении с общим эмиттером параметры H11 э, H12 Э, H21 э и H22Э для номинального режима.

6.  По вычисленным в п. 5 параметрам подсчитать параметр Т-образной эквивалентной схемы по формулам:

7.  Сравнить параметры Т-образной и эквивалентной схемы, вычисленные по HБ и H э параметрам.

Отчет должен содержать:

1.  Паспортные данные исследуемого транзистора и схему расположения выводов.

2.  Схему исследования транзистора.

3.  Характеристики транзистора при включении с общей базой и общим эмиттером.

4.  Вычисленные по характеристикам -параметры для схемы с общей базой ; ; И .

5.  Вычисленные по характеристикам -параметры для схемы с общим эмиттером ; ; И .

6.  Параметры Т-образной эквивалентной схемы, вычисленные по и -параметрам.

Вопросы для подготовки

1.  Нарисуйте основные характеристики транзисторов при включении с общим эмиттером.

2.  Расскажите о существующих системах параметров транзисторов.

3.  Как зависят значения h-параметров от схемы включения транзисторов?

4.  Нарисуйте эквивалентную схему транзистора в системе h-параметров и объясните физический смысл входящих в нее элементов.

5.  Нарисуйте Т-образную эквивалентую схему транзистора и объясните физический смысл входящих в нее элементов.

6.  Как изменяется α при нагревании транзистора?

7.  Нарисуйте выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.